Να στείλετε μήνυμα
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο ice@tsdatech.com Τηλ.: 86--13825240555
Σπίτι > προϊόντα > τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης >
W63AH6NBVABE
  • W63AH6NBVABE
W63AH6NBVABE

W63AH6NBVABE

Λεπτομέρειες προϊόντων
Κατηγορία:
Συμπλέκτες (IC) Μνήμη Μνήμη
Μέγεθος μνήμης:
1Gbit
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο:
Τραπέζι
Σειρά:
-
DigiKey Προγραμματιζόμενο:
Δεν επαληθεύτηκε
Διασύνδεση μνήμης:
HSUL_12
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα:
15ns
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
178-VFBGA (11x11.5)
Τύπος μνήμης:
Επικίνδυνα
Δρ.:
Ηλεκτρονική Winbond
Συχνότητα ρολογιού:
800 MHz
Πρόσθετη τάση:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Χρόνος πρόσβασης:
5,5 NS
Πακέτο / Κουτί:
178-VFBGA
Οργάνωση μνήμης:
64M X 16
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-25°C ~ 85°C (TC)
Τεχνολογία:
SDRAM - Κινητή LPDDR3
Αριθμός βασικού προϊόντος:
W63AH6
Φόρμα μνήμης:
DRAM
Όροι πληρωμής & ναυτιλίας
Περιγραφή
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
Περιγραφή προϊόντων
SDRAM - Μνήμη LPDDR3 κινητής τηλεφωνίας IC 1Gbit HSUL_12 800 MHz 5,5 ns 178-VFBGA (11x11.5)

Ετικέττες:

τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης,

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων,

Τσιπ μνήμης

Συνιστώμενα προϊόντα

Μας ελάτε σε επαφή με ανά πάσα στιγμή

86--13825240555
609 Νο 4018, baoan δρόμος, οδός Xixiang, περιοχή Baoan, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Μας στείλετε την έρευνά σας άμεσα σε